Общие характеристики
Тип памяти DDR
Форм-фактор DIMM 184-контактный
Тактовая частота 400 МГц
Пропускная способность 3200 Мб/с
Объем 1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Дополнительно
Напряжение питания 2.5 В

Модуль DIMM 1Gb <DDR2 800MHz> *Kingston*CL6

•  Производитель: Samsung
•  Конструктив: DIMM
•  Объем (Мб): 1024
•  Частота (МГц): 800

•  Производитель: Kingston
•  Конструктив: DIMM
•  Объем (Мб): 2048
•  Частота (МГц): 800

Общие характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Дополнительно
Напряжение питания 1.5 В

•  Производитель: Samsung
•  Конструктив: DIMM
•  Объем (Мб): 2048
•  Частота (МГц): 1333

Общие характеристики
Тип памяти DDR2
Форм-фактор SODIMM 200-контактный
Тактовая частота 800 МГц
Пропускная способность 6400 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Дополнительно
Напряжение питания 1.8 В
Дополнительная информация CL-tRCD-tRP 5-5-5 или 6-6-6