Сортировать по: наименованию (возр | убыв), цене (возр | убыв), рейтингу (возр | убыв)
Общие характеристикиТип памяти DDR Форм-фактор DIMM 184-контактный Тактовая частота 400 МГц Пропускная способность 3200 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет ДополнительноНапряжение питания 2.5 В
• Производитель: Kingston • Конструктив: DIMM • Объем (Мб): 1024 • Частота (МГц): 800
• Производитель: Samsung • Конструктив: DIMM • Объем (Мб): 1024 • Частота (МГц): 800
• Производитель: Kingston • Конструктив: DIMM • Объем (Мб): 2048 • Частота (МГц): 800
Общие характеристикиТип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 Мб/с Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет ТаймингиCAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 ДополнительноНапряжение питания 1.5 В
• Производитель: Samsung • Конструктив: DIMM • Объем (Мб): 2048 • Частота (МГц): 1333
Общие характеристикиТип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет ДополнительноНапряжение питания 1.8 В Дополнительная информация CL-tRCD-tRP 5-5-5 или 6-6-6
